C32 IGBT缓冲吸收电容器

技术参数

引用标准	IEC61071, GB/T17702
工作温度范围	-40℃~ +70℃
容量范围	0.1μF ~5.0μF
额定电压	700VDC~3000VDC
容量偏差	±5%(J); ±10%(K)
耐电压	1.5Un DC/10S
损耗角正切	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz at 20℃ tgδ≤0.0010 C≥1μF f=10KHz at 20℃
绝缘电阻	C≤0.33μF Rs≥30000MΩ (at20℃ 100VDC 60S) C>0.33μF RsC≥100000S (at20℃ 100VDC 60S)
阻燃性	UL94V-0
预期寿命	100000hrs ( Un hotspot ≤ 85℃)

产品应用

● IGBT 缓冲吸收

● 电力电子装置UPS、逆变器、感应加热、电焊机等设备的尖峰电压、尖峰电流吸收保护

产品特点

● 迈拉胶带封装，环氧树脂灌注;

● 镀锡铜线轴向引出;

● 耐压高，损耗(tgδ)小，温升低;

● 自感(ESL)小，等效串联电阻(ESR)小;

● 高脉冲电流、高dV/dt 承受能力。

规格书